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ROHM開發出超低導通電阻的Nch MOSFET

—— 有助于提高應用設備工作效率
作者:時間:2023-04-20來源:電子產品世界收藏

新推出40V150V耐壓的共13款產品,非常適用于工業設備電源和各種電機驅動

本文引用地址:http://www.kongbao21.cn/article/202304/445812.htm

全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)新推出RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列13*1產品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用,例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。

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近年來,全球電力需求量持續增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業設備的工作效率。在這些應用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電路中,制造商要求進一步降低功耗。另一方面,導通電阻“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數,但對于普通的MOSFET而言,由于導通電阻與芯片尺寸成反比,Qgd會成比例增加,因此很難同時兼顧這兩項參數。針對這個課題,通過微細化工藝、采用銅夾片連接、改進柵極結構等措施,改善了兩者之間的權衡關系。

新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現了僅2.1mΩ的業界Ron*2,相比以往產品,導通電阻降低了50%。另外,通過改進柵極結構,Qgd*3(柵-漏電荷,通常與導通電阻之間存在權衡關系)也比以往產品減少了約40%RonQgd均為耐壓60VHSOP8封裝產品之間的比較)。這可以降低開關損耗和導通損耗,非常有助于各種應用產品的高效率工作。例如,當在工業設備用電源評估板上比較電源效率時,新產品在穩態工作時的輸出電流范圍內,實現了業界超高的電源效率(峰值時高達約95%)。

新產品已于20231月開始暫以月產100萬個的規模投入量產(樣品價格500日元/個,不含稅)。另外,新產品也已開始電商銷售,從Ameya360,Sekorm, Oneyac,RightIC等電商平臺均可購買。

未來,將繼續開發導通電阻更低的MOSFET,通過助力各種設備降低功耗和更加節能,為環境保護等社會問題貢獻力量。

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<產品陣容>

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<應用示例>

通信基站和服務器用的電源

工業和消費電子產品用的電機

以及其他各種設備的電源電路和電機驅動。

 <電商銷售信息>

起售時間:20234月開始

電商平臺:Ameya360,Sekorm, Oneyac,RightIC

在其他電商平臺也將逐步發售。

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 <術語解說>

*1)

通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。

Pch MOSFET相比,由于具有更低的導通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場上更受歡迎。

*2) 導通電阻(Ron

MOSFET導通時漏極和源極之間的電阻值。該值越小,導通時的功率損耗越少。

*3) Qgd(柵-漏電荷)

MOSFET開始導通后,柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小,開關速度越快,開關時的損耗(功率損耗)越小。



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