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業界首款3nm數據基礎設施芯片發布

作者:時間:2023-04-23來源:TechNews科技新報收藏

近日,美國IC設計公司正式發布了基于臺積電3納米打造的資料中心芯片,而這也是業界首款數據芯片。

本文引用地址:http://www.kongbao21.cn/article/202304/445881.htm

據臺積電此前介紹,相較于5nm制程,制程的邏輯密度將增加約70%,在相同功耗下速度提升10-15%,或者在相同速度下功耗降低25-30%。

臺積電3納米芯片可用于新產品設計,包括基礎IP構建塊,112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY/CXL 3.0 SerDes和240 Tbps并行芯片到芯片互連等。

所說,SerDes和并行互連充當高速通道,用于chiplet芯片或矽組件間交換數據。與2.5D和3D封裝一起,這些技術將消除系統級瓶頸,以推動最復雜的半導體設計。此外,因超大規模資料中心機架可能包含數以萬計的SerDes鏈路,SerDes還有助減少引腳、走線和電路板空間,降低成本。

官方數據顯示,新的并行芯片到芯片互連,可達成高達240Tbps聚合數據傳輸,比多芯片封裝可用替代方案快45%。換言之,互連傳輸速率相當于每秒下載萬部高清電影,盡管距離只有幾毫米或更短。

將SerDes和互連技術整合至其旗艦硅解決方案中,包括Teralynx開關,PAM4和相干DSP,Alaska以太網物理層(PHY)設備、OCTEON處理器、Bravera儲存控制器、Brightlane汽車以太網芯片組和定制化ASIC等。轉向3納米可降低芯片和計算系統的成本和功耗,同時保持訊號完整性和性能。




關鍵詞: 3nm 基礎設施 Marvell

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